RH6R025BHTB1 与 BSZ520N15NS3 G 区别
| 型号 | RH6R025BHTB1 | BSZ520N15NS3 G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RH6R025BHTB1 | A-BSZ520N15NS3 G |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Nch 150V 25A, HSMT8, Power MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 59W | 57W |
| 上升时间 | - | 5ns |
| 漏源极电压Vds | 150V | 150V |
| Qg-栅极电荷 | - | 12nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 11S |
| 典型关闭延迟时间 | - | 10ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | HSMT8 | PG-TSDSON-8 |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 25A | 21A |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 3.3mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 8V,10V |
| 下降时间 | - | 3ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 7ns |
| 导通电阻Rds(On) | 60mΩ@25A,10V | 42mΩ |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 890pF @ 75V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 35µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 12nC @ 10V |
| 高度 | - | 1.10mm |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 80 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RH6R025BHTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSMT8 N-Channel 59W 60mΩ@25A,10V -55°C~150°C ±20V 150V 25A |
暂无价格 | 80 | 当前型号 | ||||||||||||
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BSZ900N15NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 150V 13A 74mΩ 20V 38W N-Channel PG-TSDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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BSZ520N15NS3 G | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 150V 21A 42mΩ 20V 57W N-Channel PG-TSDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||
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SISA88DN-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
16.2A(Ta),40.5A(Tc) N-Channel 6.7 mOhms @ 10A,10V 3.2W(Ta),19.8W(Tc) PowerPAK® 1212-8 -55°C~150°C 30V |
￥2.964
|
5,795 | 对比 |
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